窒化ガリウムテンプレート

この度、中国Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.にて製造販売しているＧａＮテンプレート基板の販売を開始いたしました。ぜひご利用ください。

GaNテンプレートは MBE, CVDおよびMOCVDにより、III-V族窒化物エピ成長基板として使用可能です

下記のGaNエピがサファイア基板上に可能です。

ノンドープGaN

GaNホモエピタキシャル成長とデバイス作成に最適です。

製造、開発、そして基礎研究にすぐれた材料です。

GaN系の青/緑/白/UV LEDに適した基板です。

MBE, CVDそしてMOCVDによるIII-V族窒化物エピ成長用基板です。

厚膜 GaNはLaser Lift Offを使用した高輝度 LEDの製造に使用可能です。

2インチGaNテンプレート


品番	GaN-T-C-U-C50	GaN-T-C-N-C50	GaN-T-C-P-c50
径	50.8φ㎜±0.1mm
厚さ	4μm , 20μm		4μm
方位	C面　(0001)±0.5°
タイプ	N型（ノンドープ）	N型（Siドープ）	P型（Mgドープ）
抵抗値	<0.5Ω･cm	<0.05Ω･cm	～10Ω･cm
キャリア濃度	<5×10¹⁷cm^-3	>1×10¹⁸cm^‐3	>6×10¹⁶cm^-3
遷移率	～300cm²/V-s	～200cm²/V-s	～10cm²/V-s
転位密度	5×10⁸cm^-2以下
基板構造	サファイア上にGaN（Standard：SSP Option：DSP）
使用可能面	>90%
包装	・クラス100環境のクリーンルームで包装・窒素雰囲気下で包装


品番	GaN-T-C-U-C100	GaN-T-C-N-C100
径	100φ㎜±0.1㎜
厚さ	4μm , 20μm
方位	C面（0001）±0.5°
タイプ	N型（ノンドープ）	N型（Siドープ）
抵抗値	< 0.5Ω･cm	<0.05Ω･cm
キャリア濃度	<5×10¹⁷cm^‐3	>1×10¹⁸cm^-3
遷移率	～300cm²/V-s	～200cm²/V-s
転位密度	5×10⁸cm^-2以下
基板構造	サファイア上にGaN（Standard：SSP Option：DSP）
使用可能面	>90%
包装	・クラス100環境のクリーンルームで包装・窒素雰囲気下で包装


品番	GaN-FS-C-U-C50	GaN-FS-C-N-C50
径	50.8φ㎜±1mm
厚さ	350±25μm
使用可能面	>90%
方位	C面 (0001)　 0.35°±0.15°のM軸向かってオフ角
第1オリフラ	（1-100）±0.5° ｵﾘﾌﾗ長16.0±1.0mm
第2オリフラ	（11-20)±3° 　ｵﾘﾌﾗ長8.0±1.0㎜
TTV （total thickness Variation）	≦15μm
反り	≦20μm
タイプ	N型（ﾉﾝﾄﾞｰﾌﾟ）	N型（Geﾄﾞｰﾌﾟ）
転位密度	5×10⁸cm^-2以下
研磨	・表面：Ra<0.2nm エピ研磨・裏面：ファイングラウンド
包装	・クラス100環境のクリーンルームで包装・窒素雰囲気下で包装


品番	GaN-FS-C-U-S10*10	GaN-FS-C-N-S10*10
サイズ	10.0㎜×10.5㎜　；±0.2mm
厚さ	350±25μm
方位	C面 (0001)　 0.35°±0.15°のM軸向かってオフ角
TTV	≦10μm
反り	≦10μm
タイプ	N型（ﾉﾝﾄﾞｰﾌﾟ）	N型（Geﾄﾞｰﾌﾟ）
抵抗	<0.5Ω･cm	<0.05Ω･cm
転位密度	5×10⁸cm^-2以下
研磨	・表面：Ra<0.2nm エピ研磨・裏面：ファイングラウンド
包装	・クラス100環境のクリーンルームで包装・窒素雰囲気下で包装


品番	GaN-FS-A-U/N/SI-S	GaN-FS-M-U/N/SI-S
サイズ	5.0～10.0㎜×10.0㎜；±0.2mm
	5.0～10㎜×20.0㎜　； ±0.2mm
厚さ	350±25μm
方位	A面 (11-20)　 1°±0.2°の C 軸向かってオフ角	M面 (11-20)　 1°±0.2°の C 軸向かってオフ角
TTV （Total Thickness Variation）	≦10μm
反り	≦10μm
タイプ・抵抗	N型（ノンドープ）　　<0.5Ω･cm
	N型（Geドープ）　<0.05Ω･cm
転位密度	5×10⁸cm^-2以下
使用可能面	>90%
研磨	・表面：Ra<0.2nm エピ研磨・裏面：ファイングラウンド
包装	・クラス100環境のクリーンルームで包装・窒素雰囲気下で包装


品番	AlN-T-C-C50
径	50.8φ㎜±0.1mm
基板	サファイア（片面研磨）
膜厚	4～5μm
方位	C面　（0001）±0.5°
電導型	半絶縁性
結晶品質	XRD FWHM of (0002) < 350 arcec XRD FWHM of (10-12) <450 arcec
除外ゾーン	<2mm
表面粗さ	Ra <1.5nm (10μm×10μm）
包装	・クラス100環境のクリーンルームで包装・窒素雰囲気下で包装